涉及有毒化学品。SK海力士半导体（中国）有限公司是由韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立海力士中国工厂的半导体制造工厂海力士中国工厂，主要生产12英寸半导体集成电路芯片。累计投资额约200亿美元海力士中国工厂，已成为江苏省单体投资规模最大、技术水平最高、发展速度最快的外资企业。工厂内氧气稀少海力士中国工厂，含有毒酸性易燃液体，所以说无锡海力士是毒厂。
海力士没有全面退出中国。钛媒体App10月26日消息，今天有媒体报道称，由于外部环境变化，“SK海力士计划撤出中国市场”。对此，韩国存储芯片巨头海力士对钛媒体独家回应称：部分媒体报道的“海力士计划撤出中国”不属实，公司从未提及任何计划涉及全面撤出中国或停止中国工厂运营的安排。公司在一份声明中强调，SK海力士将尽全力确保中国工厂的正常运营。所以说未全面退出中国。
Hynix是海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。
海力士半导体（中国）有限公司是由全球半导体领头企业之一的韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂，主要生产12英寸半导体集成电路芯片，应用范围涉及个人电脑、服务器、移动存储等领域。
海力士半导体（中国）有限公司在锡进行了多次增资及技术升级，累计投资额达105亿美元。公司一直致力于打造世界第一的半导体生产基地，与此同时，认真履行企业的社会职责，积极参与公益事业，为社会谋求福利。
扩展资料：
产品介绍
2008年11月，SK海力士发表了1Gb GDDR5 Graphics DRAM。新发表的1Gb GDDR5是以SK海力士的54nm处理技术为基础所开发的产品。
1Gb GDDR5 实现了7Gbps的速度或28GB/s的处理量，较5Gbps的66nm GDDR5改善了40%，与此同时， 1Gb GDDR5利用1.35V的观点装置，在设计上将耗电量降低。SK海力士还支援高性能及主流市场用GDDR3、DDR3、DDR2产品。
SK海力士的DDR3 SDRAM属于高性能，低耗电量产品。DDR3 SDRAM能够以最大1.6Gb/s的速度传送数据，运行电压为1.5V。目前，SK海力士提供具有1Gb及2Gb集成度高的高性能DDR3，4Gb产品已于2012年投入量产
参考资料来源：sk海力士半导体官方网站——公司介绍
海力士半导体（无锡）有限公司联系电话号码为0510-85208888海力士中国工厂，联系传真为0510-85208298。该公司的具体地址位于江苏省无锡高新区综合保税区K7地块即无锡新区新达路32号（海力士意法路）。
该公司是由由韩国SK海力士株式会社于2005年4月在江苏省无锡市投资设立的半导体制造工厂。主要产品包括用于个人电脑、笔记本电脑的PC-DRAM、数据中心大容量服务器的服务器DRAM、用于手机等移动设备的移动DRAM等。
扩展资料：
海力士半导体（中国）有限公司在中国的发展历程：
1、2004年与无锡市签订合作协议。
2、2005年一期项目投资海力士中国工厂，厂房建设开工。
3、2006年开始8英寸和12英寸量产。
4、2007年二期项目投资。
5、2008年三期项目投资。
6、2010年4xnm DRAM量产。
7、2011年四期项目投资。
8、2012年公司更名为SK海力士半导体（中国）有限公司。
9、2013年五期项目投资。
10、2xnm DRAM量产。
11、2017年六期项目投资，C2F开工。
12、2018年设立无锡销售总部。
13、2019年C2F竣工仪式。
参考资料来源：SK海力士半导体（中国）有限公司-联络海力士中国工厂我们
参考资料来源：SK海力士半导体（中国）有限公司-公司历程
暂时不会海力士中国工厂的
海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。
这个公司海力士中国工厂的发展前途和待遇都是不错的，要说半导体肯定也有一定的污染，但肯定没有化工厂类的严重大，如果大学毕业的话可以去那里工作，但尽量不要当工人，毕竟本科毕业。
海力士介绍
海力士芯片生产商，Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。
2019年9月5日，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。2022年8月，媒体报道，海力士计划在美国新建先进芯片封装厂，预计2023年第一季度破土动工。
