SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。
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据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。
该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。
去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。
这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。
由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。
据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。
外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。
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SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。
据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。
SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。
官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。
此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。
SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。
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7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。
美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。
韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的.NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。
据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。
SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。
层数越高越好
NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。
而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。
与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。
不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。
美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。
而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。
200层的野心
目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。
早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。
今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。
参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。
现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。
而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。
第一，美国“硅谷”，目前全球规模最大，最具影响力的半导体产业中心依然是美国“硅谷”，整体来看，“硅谷”是芯片产业链最完整，竞争力最强，同时也是规模最大的芯片产业中心，生产的芯片约占全美国的三分之一。
全球最大的芯片企业和微处理器制造商-英特尔公司，就位于美国硅谷。在过去长达20多年的时间里面，英特尔一直是全球最大的芯片企业，英特尔是一家IDM，也就是涵盖设计，制造，封测等垂直一体化的芯片供应商。
而全球5大芯片设计企业，有4家总部位于“硅谷”，包括博通，高通，英伟达和AMD，当然这里面还包括自研芯片的苹果公司，FPGA巨头赛灵思。由于拥有强大的芯片设计能力，硅谷实际上也是全球芯片代工产业最重要的市场源头，在半导体设备领域，美国三大芯片设备供应商应用材料公司，科磊，泛林研发的总部也都在“硅谷”。
第二，得克萨斯州，如果说“硅谷”是美国芯片产业的研发和设计中心，那么得克萨斯州就是美国芯片产业的制造中心。该州的晶圆工厂主要集中在达拉斯和奥斯丁，总共有15家晶圆工厂。达拉斯是TI（德州仪器）的总部所在地，而TI总共在德州拥有5家晶圆工厂。
而中国两大芯片龙头企业的台积电，中芯国际的创始人张忠谋，张汝京均出身于德州仪器。作为全球最大的模拟芯片供应商，TI的市场份额远远领先于其它厂商。此外，三星电子在该州拥有一座12吋晶圆工厂，Qorvo拥有3座晶圆工厂，恩智浦有3座工厂，英飞凌，高塔半导体，X-Fab各有一座工厂。
第三，韩国京畿道，整体来看，韩国是仅次于美国的全球第二大芯片产业生产国，三星电子，SK海力士在存储芯片市场处于垄断地位。而韩国芯片生产的大部分产能又都集中在京畿道。
从三星电子来看，目前在韩国的晶圆工厂有5座（其中12吋晶圆厂4座，8吋晶圆厂1座），分别位于华城，平泽等地，主要产品包括逻辑芯片代工，图像传感器，存储芯片等。京畿道的韩国芯片企业大都是IDM，覆盖从设计，晶圆制造以及封装测试环节。而从事专业代工的企业有东部高科等。
第四，中国台湾省，台湾地区是全球最大的晶圆代工基地，而主要晶圆工厂分布于北部的新竹，南部和中部的科技园区。在新竹科学园，这里是众多芯片企业总部所在地。
包括代工企业台积电，联电，世界先进半导体；芯片设计企业联发科，联咏，瑞昱；硅晶圆企业环球晶圆等。而在中部，南部的科技园区，同样拥有众多的晶圆工厂。目前代工龙头台积电在台湾地区拥有12吋晶圆工厂4座，8吋晶圆工厂4座。
第五，日本九州岛，日本芯片产业以IDM为主，尤其在功率半导体，图像传感器，闪存等领域拥有优势。日本芯片企业的研发部门大都位于东京等大城市，九州岛以芯片生产为主，产值约占日本总产值的30%左右，其中比较大的工厂包括索尼的12吋晶圆工厂，瑞萨电子的8吋晶圆工厂，三菱电机的IGBT工厂等。
第六，德国德累斯顿，德累斯顿也被称为德国的“硅谷”，这里聚集了美国芯片代工企业格罗方德，本土芯片巨头英飞凌，博世等。英飞凌是功率半导体市场的领导者，博世在汽车电子，MEMS传感器领域拥有很强的实力，两家本土企业都以IDM模式为主。格罗方德是全球三大晶圆代工企业之一，德累斯顿工厂也是格芯最早建立的晶圆工厂。
第七，新加坡，新加坡拥有完整的芯片产业体系，涵盖芯片设计，制造及封测等环节，其中大部分是外资企业，包括有存储芯片巨头美光科技，晶圆代工企业格罗方德，台积电，联电等。其中美光科技拥有三座NAND闪存工厂，包括部分研发业务，目前该工厂是美光在亚洲地区的主要研发和生产中心。
1.首先将SD卡连接到电脑。
2.下载安装强力数据恢复软件。
3.下载安装完毕后打开强力数据恢复软件nand工厂，因为我们是要恢复丢失nand工厂的SD卡数据，因此这里我们要选择“U盘手机相机卡恢复”。
4.选择需要恢复丢失数据的SD卡然后点击下一步。
5.接着软件就会对SD卡进行扫描，扫描需要一段时间，需要我们耐心等待。
6.扫描结束后我们就可以在扫描结果里看到丢失的SD卡数据，根据自己的需求勾选需要恢复的SD卡数据，如果想要恢复SD卡里的全部数据，那么全部勾选即可，然后点击下一步。
7.点击浏览选择一个文件夹用来存放丢失的SD卡数据，这里建议大家不要存放在C盘。选择完毕后点击下一步。
MMC(Multi-Media Card，多媒体卡)由西门子公司Siemens和SanDisk于1997年推出。由于它的封装技术较为先进，7针引脚，体积小、重量轻、非常符合移动存储的需要。MMC支持1bit模式，20MHz时钟，采用总线结构。
SD卡是由松下电器、东芝和SanDisk联合推出，1999年8月发布。SD卡的数据传送和物理规范由MMC发展而来，大小和MMC卡差不多，尺寸为32mm x 24mm x 2.1mm。长宽和MMC卡一样，只是比MMC卡厚了0.7mm，以容纳更大容量的存贮单元。
SD系列记忆卡都是SanDisk完成测试后送交SD卡协会认证规格，因此几乎所有专利权都掌控在SanDisk手上。不过在2007年，因为NAND市场的动荡SanDisk变卖了家当，给外界一种即将消失错觉。失去了很多自己的核心技术和专利，最重要的NAND工厂都卖给了美光。没多久，重新吸引外资换了脸面的SanDisk，无心再研发Flash技术和建立新厂。而是注资东芝与东芝合作，使用东芝的制造工艺和技术生产芯片。之后东芝试产的新产品都会有两个品牌的LOGO。SD卡也不例外，两个品牌的产品拥有着很多相似之处，这两个牌子也是SD卡市场的主要供货来源。
